APL602B2

APL602B2G
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APL602B2G参数：MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：49A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 24.5A，12V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9000pF @ 25V
功率 - 最大值：730W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3 变式
供应商器件封装：T-MAX? [B2]