APT10M11B2VFRG参数：MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：30系列：POWER MOS V®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：450nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10300pF @ 25V功率 - 最大值：520W安装类型：通孔封装：TO-247-3 变式供应商器件封装：T-MAX?
