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APT11N80KC3

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相关型号： APT11N80BC3G APT11GF120KRG APT11GF120BRDQ1G APT11F80B APT10SCD120B APT10M11JVRU3

APT11N80KC3G
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APT11N80KC3G参数：MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 680µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1585pF @ 25V
功率 - 最大值：156W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220 [K]

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