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APT34N80B2C3

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相关型号： APT34M60B APT34M120J APT34F60BG APT34F60B APT34F100L APT34F100B2

APT34N80B2C3G
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APT34N80B2C3G参数：MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： T-MAXFront
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：34A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：145毫欧@22A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@2mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：355nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4510pF@25V
功率-最大值：417W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3变式
供应商器件封装：T-MAX?[B2]

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