APT65GP60B2

APT65GP60B2G
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APT65GP60B2G参数：IGBT 600V 100A 833W TMAX

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：POWER MOS 7®
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A
Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
功率 - 最大值：833W
Switching Energy：605µJ (开), 896µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：210nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/91ns
Test Condition：400V, 65A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-247-3 变式
安装类型：通孔
供应商器件封装：*