APT75GP120JDQ3参数：IGBT 1200V 128A 543W SOT227
类别：半导体模块-IGBT产品目录绘图： SOT-227Top标准包装：10系列：POWERMOS7®IGBT类型：PT配置：单一电压-集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：3.9V@15V，75A电流-集电极(Ic)（最大值）：128A电流-集电极截止（最大值）：1.25mA不同?Vce时的输入电容(Cies)：7.04nF@25V功率-最大值：543W输入：标准NTC热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：ISOTOP供应商器件封装：ISOTOP?