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APT8M100B

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相关型号： APT8DQ60KCTG APT85GR120L APT85GR120JD60 APT85GR120J APT85GR120B2 APT84M50L

APT8M100B
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APT8M100B参数：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TO-247Front
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.8欧姆@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1885pF@25V
功率-最大值：290W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247[B]

APT8M100B

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