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APTGT75DA170D1

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相关型号： APTGT75DA120TG APTGT75DA120T1G APTGT75DA120D1G APTGT75A60T1G APTGT75A170D1G APTGT75A120TG

APTGT75DA170D1G
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APTGT75DA170D1G参数：IGBT 1700V 120A 520W D1

类别：半导体模块-IGBT
标准包装：1
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，75A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A
电流 - 集电极截止（最大值）：5mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：6.5nF @ 25V
功率 - 最大值：520W
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装：D1
供应商器件封装：D1

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