ATP602-TL-H

ATP602-TL-H
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ATP602-TL-H参数：MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： ATPAKPackageP-Channel&N-ChannelTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.7欧姆@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13.6nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@30V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装：ATPAK（2引线+接片）
供应商器件封装：ATPAK