AUIRF7669L2TR

AUIRF7669L2TR
PDF资料下载

AUIRF7669L2TR参数：MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： AUIRF7669L2TR1SaberModel AUIRF7669L2TR1SpiceModel
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：375A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.4毫欧@68A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5660pF@25V
功率-最大值：3.3W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等距L8
供应商器件封装：DIRECTFETL8