AUIRFR4105Z

AUIRFR4105Z
PDF资料下载

AUIRFR4105Z参数：MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：24.5毫欧@18A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：740pF@25V
功率-最大值：48W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak