BCM856DS,115参数：TRANS PNP DBL 65V 100MA 6TSOP
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列特色产品： NXP-I2CInterface标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：2PNP（双）配对电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：65V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，100mA电流-集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@2mA，5V功率-最大值：380mW频率-跃迁：175MHz安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
