BS170RLRMG参数：MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：2,000系列：-包装：带盒（TB）FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5欧姆@200mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：60pF@10V功率-最大值：350mW安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3
