BSB012N03LX3 G参数：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：39A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：169nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：16900pF@15V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：3-WDSON供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAKM?
