BSB013NE2LXI参数：MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：163A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4400pF @ 12V功率 - 最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：3-WDSON供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?
