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BSC029N025S

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￥12508-PowerTDFN
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BSC029N025S G
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BSC029N025S G参数：MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.9毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@80µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：41nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5090pF@15V
功率-最大值：78W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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