BSM180D12P2C101参数：SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：*包装：散装FET 类型：2 个 N 通道（半桥）FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：180A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23000pF @ 10V功率 - 最大值：1130W安装类型：*封装：模块供应商器件封装：模块