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BSO080P03S

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相关型号： BSO080P03NS3E G BSO080P03NS3 G BSO072N03S BSO065N03MS G BSO064N03S BSO052N03S

BSO080P03S
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BSO080P03S参数：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@14.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：136nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5890pF@25V
功率-最大值：1.79W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8

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