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BSO200P03S

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BSO200P03S
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BSO200P03S参数：MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@9.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：54nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2330pF@25V
功率-最大值：1.56W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8

BSO200P03S

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