BSO330N02K

BSO330N02K G
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BSO330N02K G参数：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：730pF @ 10V
功率 - 最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8