BSO4410参数：MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@11.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@42µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1280pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO