BSO615C G参数：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：SIPMOS®包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A，2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3.1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：PG-DSO-8
