BSO615N参数：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：2,500系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@2.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：380pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：PG-DSO-8
