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BSP129

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BSP129 优势库存
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SOT223
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SOT-223
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BSP129E6327
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BSP129L6906
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BSP129L6327
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原装现货
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TO-223
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相关型号： BSP126,135 BSP126,115 BSP125 L6433 BSP125 L6327 BSP125 E6433 BSP125 E6327

BSP129 L6327
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BSP129 L6327参数：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：240V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：350mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：108pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4

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