BSP296N

BSP296 E6433
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BSP296 E6433参数：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：4,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.8V@400µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：364pF@25V
功率-最大值：1.79W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4