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BSP373

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SOT-223
2023+
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BSP373 E6327
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2023+
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BSP373
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1,000
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PG-SOT-223-3
2023+
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相关型号： BSP372 L6327 BSP372 E6327 BSP3-480-LC BSP3-480 BSP3-347-LC BSP3-347

BSP373 E6327
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BSP373 E6327参数：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@1.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4

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