BSP52T1参数：TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007 ProductObsolescence07/Jul/2010标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)晶体管类型：NPN-达林顿电流-集电极(Ic)（最大值）：1A电压-集射极击穿（最大值）：80V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：1.3V@500µA，500mA电流-集电极截止（最大值）：10µA不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：2000@500mA，10V功率-最大值：800mW频率-跃迁：-安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223