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BSS123-7-F

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BSS123-7-F
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BSS123-7-F参数：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： SOT-23PackageTop SOT-23PackageSide1 SOT-23PackageSide2
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire3/May/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：170mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@170mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：60pF@25V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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