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BSS192PE6327

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BSS192PE6327
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相关型号： BSS192P L6327 BSS192,135 BSS192,115 BSS169 L6906 BSS169 L6327 BSS169 H6327

BSS192PE6327
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BSS192PE6327参数：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：190mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12欧姆@190mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@130µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.1nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：104pF@25V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-243AA
供应商器件封装：PG-SOT89-4

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