BSS214NWH6327

BSS214NW L6327
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BSS214NW L6327参数：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@3.7µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.8nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：143pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：PG-SOT323-3