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BSS225

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Infineon
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【【原装绝对有货】】
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相关型号： BSS223PW L6327 BSS215P L6327 BSS215P H6327 BSS214NW L6327 BSS214N L6327 BSS214N H6327

BSS225
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BSS225参数：MOSFET N-CH 600V 90MA SOT-89

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：90mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45欧姆@90mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@94µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.8nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：131pF@25V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-243AA
供应商器件封装：PG-SOT89-4

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