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BSS67

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相关型号： BSS64LT1G BSS64LT1 BSS64,215 BSS64 BSS63LT1G BSS63,215

BSS670S2L
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BSS670S2L参数：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：540mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@270mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@2.7µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.26nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：75pF@25V
功率-最大值：360mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：PG-SOT23-3

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