BSS83P

BSS83P H6327
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BSS83P H6327参数：MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：330mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 25V
功率 - 最大值：360mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：PG-SOT23-3