BSS84参数：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：130mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10欧姆@100mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.3nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：73pF@25V功率-最大值：360mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23