BUP213参数：IGBT 1200V 32A TO-220
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Feb/2009标准包装：50系列：-包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：3.2V@15V，15A电流-集电极(Ic)（最大值）：32ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：64A功率-最大值：200WSwitchingEnergy：-输入类型：标准GateCharge：-Td(on/off)A25°C：70ns/400nsTestCondition：600V,15A,82欧姆,15V反向恢复时间(trr)：-封装：TO-220-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-220AB