BUZ30AH

BUZ30A
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BUZ30A参数：MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@13.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1900pF@25V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3