CAS100H12AM1参数：MOD SIC 1.2KV 165A HALF-BRIDGE
类别：半导体模块-FETPCNDesign/Specification： CAS100H12AM1ScrewSize15/Apr/2013标准包装：1系列：Z-FET™Z-Rec™包装：散装FET类型：2个N通道（半桥）FET功能：碳化硅(SiC)漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：165A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@20A，20V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.1V@50mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：9500pF@800V功率-最大值：-安装类型：底座安装封装：模块供应商器件封装：模块
