CMF20120D参数：SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： SiCMOSFETIsolatedGateDriver产品培训模块： 1200VSiCMosfetOverview视频文件： Cree'sSiliconCarbideMosfets--AnotherGeekMoment标准包装：30系列：Z-FET™包装：管件FET类型：SiCFETN通道，碳化硅FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：33A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@20A，20V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：90.8nC@20V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1915pF@800V功率-最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247-3