CSD16409Q3

CSD16409Q3
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CSD16409Q3参数：MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
标准包装：2,500
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.2毫欧@17A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：800pF@12.5V
功率-最大值：2.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN裸露焊盘
供应商器件封装：8-SON