CSD17501Q5A参数：MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.9毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2630pF@15V功率-最大值：3.2W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：8-SON（5x6）
