CSD18509Q5B

CSD18501Q5A
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CSD18501Q5A参数：MOSFET N-CH 40V 8SON

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
标准包装：2,500
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.2毫欧@25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3840pF@20V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-SON（5x6）