CSD23203W

CSD23201W10
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CSD23201W10参数：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
标准包装：3,000
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：82毫欧@500mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：325pF@6V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：4-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装：4-DSBGA（1x1）