CSD25211W1015参数：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：570pF @ 10V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：6-UFBGA，DSBGA供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
