首页 > IC > C-3119页 >

CSD86311W1723

供应查询
您是不是要找：CSD86330EVM-717CSD86330Q3DCSD86336Q3DCSD86336Q3DTCSD86350Q5D
CSD86311W1723
TexasInstrumen..
12-UFBGA,CSP..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
CSD86311W1723
Texas Instrume..
12-DSBGA
2023+
500
全新原装现货质量保证
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
电话：18922857317
联系人：洪小姐
QQ询价
CSD86311W1723
TI
SMD
2023+
25
全新原装，香港现货
CSD86311W1723
Texas Instrume..
12-DSBGA (1...
2023+
721
全新原装正品 原厂支持供货..
相关型号： CSD75301W1015 CSD75211W1723 CSD75205W1015 CSD75204W15 CSD4-7152/39-29-5B CSD4-7152/39-26-7A

CSD86311W1723
PDF资料下载

CSD86311W1723参数：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
标准包装：3,000
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@2A，8V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：585pF@12.5V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：12-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装：12-DSBGA（1.53x1.98）

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网