DDTC115GE-7-F

DDTC115GE-7-F
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DDTC115GE-7-F参数：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品目录绘图： SOT-523Side SOT-523Top DDTCxxxG(CA,UA,E)Circuit
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：100k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：82@5mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@500µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：-
频率-跃迁：250MHz
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-523
供应商器件封装：SOT-523