DI9400T参数：MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2标准包装：1系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@10V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-TSOP（0.130"，3.30mm宽）供应商器件封装：8-SO
