DMC3025LSD-13参数：MOSFET N/P-CH 30V 8SO
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.5A，4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@7.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：501pF@15V功率-最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
