DMC6070LFDH-7参数：MOSF N-P CH 60V 3.1A, 2.4A POWER
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：3,000系列：POWERDI®包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.1A，2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@1.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：731pF@20V功率-最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerDI3030-8
