DMC60C31E

DMC6070LFDH-7
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DMC6070LFDH-7参数：MOSF N-P CH 60V 3.1A, 2.4A POWER

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：POWERDI®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.1A，2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：731pF@20V
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerDI3030-8