DMG1012T-7参数：MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：630mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@600mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.74nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：60.67pF@16V功率-最大值：280mW安装类型：表面贴装封装：SOT-523供应商器件封装：SOT-523